长鑫科技4F² DRAM架构研发取得进展，预计年底推出新一代DDR5 RDIMM
长鑫科技总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上介绍，公司在4F² DRAM架构研发上取得关键进展，并预计年底推出融合该技术的新一代DDR5 RDIMM产品。长鑫自成立起布局4F²研究，公开专利族超300件，其自研VSG晶体管采用垂直包围沟道结构以提升存储密度。公司自2019年起推进混合键合技术自主研发，2025年在IEDM发表论文介绍多层水平单元堆叠DRAM架构研发成果。
AI 关注原因：长鑫科技在4F² DRAM架构上的进展，涉及存储芯片工艺路线变化，对关注半导体产业链的从业者具有参考意义。